製品紹介

パワー半導体基板 (SiC・GaN基板) 用研磨剤製品
コロイダルシリカ系スラリー CHEMISTER CL-シリーズ

CHEMISTER CL-シリーズは、主にサファイア、タンタル酸リチウムといった酸化物系基板用研磨剤製品としてご愛顧頂いていますが、この度、シリコンに代わる次世代パワー半導体の基板材料として期待されている、SiCおよびGaN用研磨剤を開発し、その仲間入りを果たしました。SiCおよびGaNは非常に難加工であることが知られていますが、以下にご紹介する研磨剤は、厳選されたコロイダルシリカ(研磨砥粒)と特殊なエッチャントとの組合せ技術により、これら難加工材に対しても比較的効率の良い研磨加工が可能です。
SiCおよびGaN基板のアプリケーション機器としては、エアコンに代表される白物家電用インバータ、鉄道車両の主制御インバータ、車載用充電器、エコカー用DC-DCコンバータ、エコカー駆動用インバータ、各種産業機器用電源、太陽光発電・風力発電用パワーコンディショナーといった用途への応用展開が期待されています。

特徴

以下にSiC基板とGaN基板用研磨剤製品にわけてその特徴と基本物性をご紹介します。

SiC基板用研磨剤 CHEMISTER “CL-4005”の特徴

SiC(Si面)基板専用に開発した循環使用可能な2液型の酸性系研磨剤です。

非過マンガン酸カリ系の中では高研磨Rateが得られます。

研磨後の基板品質として表面粗さRa≦0.1nmを達成できます。

長時間使用においても高研磨Rateを維持できます(長寿命)。

高圧・高回転条件に設定することによって効果的に研磨Rateを向上できます。

SUSに対する腐食性が弱く、研磨機に優しい研磨剤です。

CHEMISTER “CL-4005”の基本物性
項目 CHEMISTERCL-4005 物性値
CL-4005A CL-4005B 35%
過酸化水素水
混合比 [20kg調製時]
A:B:35%過酸化水素水
12.60kg:4.54kg:2.86kg

Use pH 2.0
SiO2 Etchant
SiO2濃度 [wt%] 約48
pH 10.0 1.4
密度 [g/ml] 1.365 1.082

※代表値

GaN基板用研磨剤 CHEMISTER “CL-シリーズ”の特徴

GaN(Ga面)基板専用に開発した2液型の酸性系研磨剤です。

従来のアルカリ系研磨剤と比較して高研磨Rateが得られます。

研磨後の基板品質として表面粗さRa≦0.2nmを達成できます。

酸性系の研磨スラリーですが、一般的なSUSに対する腐食性はありません。

CHEMISTER “CL-シリーズ”の基本物性
項目 CL-10 CL-3301-T2 CL-3306
A剤 pH 10.0 9.5 9.8
密度 [g/ml] 1.29 1.29 1.28
砥粒濃度 [wt%] 40 40 40
平均粒子径 [nm] 40 40 37
B剤 pH 0.9 0.5 0.5
密度 [g/ml] 1.02 1.06 1.06
A剤/B剤 混合比率 [wt%] 50/50 75/25 75/25
Use pH 1.2 1.1 1.0
砥粒濃度 [wt%] 20 30 30

包装

SiC基板用研磨剤製品CL-4005(2液型)

A液: 入り目12.6kg/個、軟質ポリエチレン製容器詰め

B液: 入り目4.54kg/個、硬質ポリエチレン製偏平容器詰め

A液とB液のセットで段ボール梱包

GaN基板用研磨剤製品CL-シリーズ(2液型)
CL-10の場合

A液: 入り目10kg/個、硬質ポリエチレン製容器詰めの段ボール梱包

B液: 入り目10kg/個、硬質ポリエチレン製容器詰め(個装)

※ A液,B液共に入り目4kg/個 (硬質ポリエチレン製偏平容器詰め、A液とB液のセットで段ボール梱包)も対応可能です。
CL-3301-T2/CL-3306の場合

A液: 入り目12kg/個、軟質ポリエチレン製容器詰め

B液: 入り目4kg/個、硬質ポリエチレン製偏平容器詰め

A液とB液の1セットで段ボール梱包

※ A液:入り目3kg/個 (硬質ポリエチレン製偏平容器詰め),
B液:入り目1kg/個 (硬質ポリエチレン製円柱型容器詰め)も対応可能です。
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